El aumento máximo de los microscopios electrónicos supera ahora los 15 millones de veces,
En 1931, M. Nohr y E. Ruska, de Alemania, modificaron un osciloscopio de alto voltaje con una fuente de electrones de descarga de cátodo frío y tres lentes electrónicas, y obtuvieron imágenes ampliadas más de diez veces. Inventaron la microscopía electrónica de transmisión, que confirmó la posibilidad de que la microscopía electrónica amplificara las imágenes. En 1932, con la mejora de Ruska, la capacidad de resolución de los microscopios electrónicos alcanzó los 50 nanómetros, aproximadamente diez veces la de los microscopios ópticos de ese momento, rompiendo el límite de resolución de los microscopios ópticos. Como resultado, los microscopios electrónicos comenzaron a recibir atención.
En la década de 1940, Hill, en Estados Unidos, compensó la asimetría rotacional de las lentes electrónicas con un astigmatizador, lo que supuso un nuevo avance en la resolución de los microscopios electrónicos y, poco a poco, alcanzó los niveles modernos. En China, en 1958, se desarrolló con éxito un microscopio electrónico de transmisión con una resolución de 3 nanómetros. En 1979, también se desarrolló un microscopio electrónico de gran tamaño con una resolución de 0,3 nanómetros.
Aunque la resolución de los microscopios electrónicos es muy superior a la de los microscopios ópticos, resulta difícil observar organismos vivos debido a la necesidad de trabajar en condiciones de vacío, y la irradiación con haces de electrones también puede causar daños por radiación a las muestras biológicas. Otras cuestiones, como la mejora del brillo del cañón de electrones y la calidad de las lentes electrónicas, también requieren más investigación.
Microscopio electrónico de barrido por emisión de campo
Uso principal: Este instrumento tiene una resolución ultraalta y puede observar y procesar imágenes de electrones secundarios e imágenes de electrones reflejados de diversas morfologías de superficies de muestras sólidas. Equipado con un espectrómetro de energía de rayos X de alto rendimiento, puede realizar simultáneamente análisis cualitativos, semicuantitativos y cuantitativos de micropuntos, líneas y elementos de superficie en la superficie de la muestra, y tiene la capacidad de analizar de manera integral la morfología y los componentes químicos.
Categoría de instrumento: 03040702/Instrumentos/Instrumentos ópticos/Instrumentos de óptica electrónica y óptica iónica
Información del indicador: Resolución de imagen de electrones secundarios: 1,5 nm Voltaje acelerado: 0-30kV Factor de amplificación: 100-500000 veces Distancia de trabajo ajustable continua: 5-35mm Inclinación ajustable continua: -5 grados ~45 grados Espectrómetro de rayos X: Resolución: 133 eV Rango de análisis: BU
Información adjunta: Sonda de retrodispersión del sistema de procesamiento de imágenes ISIS del instrumento de enchapado en oro y carbono
La microscopía electrónica de barrido por emisión de campo, gracias a su alta resolución, proporciona un medio experimental fiable para el estudio de nanomateriales. Además, se obtuvieron imágenes satisfactorias tanto de materiales semiconductores como de aislantes. Se realizaron observaciones morfológicas en películas delgadas superconductoras, materiales magnéticos, materiales de película delgada cultivados por epitaxia de haz molecular y materiales semiconductores. Se realizó un análisis de la composición de microrregiones en varios materiales y se obtuvieron resultados satisfactorios.
Introducción a la microscopía electrónica
Apr 13, 2024
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